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用几个循环嵌套的方式可以大大延长延时时间。下例用2个循环来做延时：
MOVLW D‘100’
MOVWF 10
LOOP MOVLW D‘16’
MOVWF 11
LOOP1 DECFSZ 11，1
GOTO LOOP1
DECFSZ 10，1
GOTO LOOP
┋
延时时间=1+1+[1+1+（1+2）*16-1+1+2]*100-1=5201（μS）
11) RTCC计数器的使用
RTCC是一个脉冲计数器，它的计数脉冲有二个来源，一个是从RTCC引脚输入的外部信号，一个是内部的指令时钟信号。可以用程序来选择其中一个信号源作为输入。RTCC可被程序用作计时之用；程序读取RTCC寄存器值以计算时间。当RTCC作为内部计时器使用时需将RTCC管脚接VDD或VSS，以减少干扰和耗电流。下例程序以RTCC做延时：
RTCC EQU 1
┋
CLRF RTCC ；RTCC清0
MOVLW 07H
OPTION ；选择预设倍数1：256→RTCC
LOOP MOVLW 255 ；RTCC计数终值
SUBWF RTCC，0
BTFSS STATUS，Z ；RTCC=255？
GOTO LOOP
┋
这个延时程序中，每过256个指令周期RTCC寄存器增1（分频比=1：256），设芯片使用4MHz振荡，则：
延时时间=256*256=65536（μS）
RTCC是自振式的，在它计数时，程序可以去做别的事情，只要隔一段时间去读取它，检测它的计数值即可。
12) 寄存器体（BANK）的寻址
对于PIC16C54/55/56，寄存器有32个，只有一个体（BANK），故不存在体寻址问题，对于PIC16C57/58来说，寄存器则有80个，分为4个体（BANK0-BANK3）。在对F4（FSR）的说明中可知，F4的bit6和bit5是寄存器体寻址位，其对应关系如下：
Bit6 Bit5 BANK 物理地址
0 0 BANK0 10H～1FH
0 1 BANK1 30H～3FH
1 0 BANK2 50H～5FH
1 1 BANK3 70H～7FH
当芯片上电RESET后，F4的bit6,bit5是随机的，非上电的RESET则保持原先状态不变。
下面的例子对BANK1和BANK2的30H及50H寄存器写入数据。
例1．（设目前体选为BANK0）
BSF 4，5 ；置位bit5=1,选择BANK1
MOVLW DATA
MOVWF 10H ； DATA→30H
BCF 4，5
BSF 4，6 ；bit6=1,bit5=0选择BANK2
MOVWF 10H ；DATA→50H
从上例中我们看到，对某一体（BANK）中的寄存器进行读写，首先要先对F4中的体寻址位进行操作。实际应用中一般上电复位后先清F4的bit6和bit5为0，使之指向BANK0，以后再根据需要使其指向相应的体。
注意，在例子中对30H寄存器（BANK1）和50H寄存器（BANK2）写数时，用的指令“MOVWF 10H”中寄存器地址写的都是“10H”，而不是读者预期的“MOVWF 30H”和“MOVWF 50H”，为什么？
让我们回顾一下指令表。在PIC16C5X的所有有关寄存器的指令码中，寄存寻址位都只占5个位：fffff，只能寻址32个（00H—1FH）寄存器。所以要选址80个寄存器，还要再用二位体选址位PA1和PA0。当我们设置好体寻址位PA1和PA0，使之指向一个BANK，那么指令“MOVWF 10H”就是将W内容置入这个BANK中的相应寄存器内（10H，30H，50H，或70H）。
有些设计者第一次接触体选址的概念，难免理解上有出入，下面是一个例子：
例2：（设目前体选为BANK0）
MOVLW 55H
MOVWF 30H ；欲把55H→30H寄存器
MOVLW 66H
MOVWF 50H ；欲把66H→50H寄存器
以为“MOVWF 30H”一定能把W置入30H，“MOVWF 50H”一定能把W置入50H，这是错误的。因为这两条指令的实际效果是“MOVWF 10H”，原因上面已经说明过了。所以例2这段程序最后结果是F10H=66H，而真正的F30H和F50H并没有被操作到。
建议：为使体选址的程序清晰明了，建议多用名称定义符来写程序，则不易混淆。 例3：假设在程序中用到BANK0，BANK1，BANK2的几个寄存器如下：